QUE ES LA MEMORIA RAM?

La memoria principal o RAM (Random Access Memory, Memoria de Acceso Aleatorio) es donde el computador guarda los datos que está utilizando en el momento presente. El almacenamiento es considerado temporal por que los datos y programas permanecen en ella mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada.

Se le llama RAM por que es posible acceder a cualquier ubicación de ella aleatoria y rápidamente

Físicamente, están constituidas por un conjunto de chips o módulos de chips normalmente conectados a la tarjeta madre. Los chips de memoria son rectángulos negros que suelen ir soldados en grupos a unas plaquitas con "pines" o contactos:

Tiempo de Latencia

Se denominan latencias de una memoria RAM a los diferentes retardos producidos en el acceso a los distintos componentes de esta última. Estos retardos influyen en el tiempo de acceso de la memoria por parte de la CPU, el cual se mide en nanosegundos (10^-9 s) .

Uno de los factores que influyen en la latencia de una red son:

• El tamaño de los paquetes transmitidos.
• El tamaño de los buffers dentro de los equipos de conectividad. Ellos pueden producir un Retardo Medio de Encolado.

En general se refiere al tiempo que dura en llegar una acción desde su punto de inicio hasta su "punto de fuga", es decir cuando la acción se consuma.

 

Tiempos de acceso Memoria de Acceso Aleatorio. ( R amdom A ccess M emory, RAM ). Intervalo de tiempo entre el requerimiento para leer datos de (o escribir datos de) un dispositivo de almacenamiento (memoria, disco duro, etc.) y la terminación de esta acción. Es una medida muy importante para estimar el rendimiento de los dispositivos (dispositivos que afectan al rendimiento global de la computadora). En los discos duros, el tiempo medio de acceso es el tiempo medio que tarda en situarse la aguja de lecto-escritura en el cilindro deseado; es la suma de la latencia (tiempo que tarda el disco en girar media vuelta) y el tiempo medio de búsqueda (es la mitad del tiempo que tarda la aguja en ir de la periferia al centro del disco). Buffer de Datos y Paridad Un chip que realiza una operación con los datos cuando entran en el chip y otra cuando salen. Si el resultado ha variado, se ha producido un error y los datos ya no son fiables. Dicho así, parece una ventaja; sin embargo, el ordenador sólo avisa de que el error se ha producido, no lo corrige. Es más, estos errores son tan improbables que la mayor parte de los chips no los sufren jamás aunque estén funcionando durante años; por ello, hace años que todas las memorias se fabrican sin paridad. Circuito para almacenar y controlar la paridad de datos digitales comunicados entre un primer y un segundo buses de datos, que incluye una pluralidad de ciruitos bidireccionales de almacenamiento intermedio, cada uno de los circuitos bidireccionales de almacenamiento intermedio incluye una via de datos que consta de un receptor de datos, un elemento enganchador y un excitador conectados en serie entre el primer y el segundo buses de datos, respectivamente; una segunda via de datos que consta de un receptor de datos, un elemento de enganche y un excitador conectados en serie entre el segundo y el primer buses de datos.  Estructura Fisica De La Memoria La memoria está compuesta por un determinado número de celdas, capaces de almacenar un dato o una instrucción y colocadas en forma de tablero de ajedrez. En lugar de tener 64 posibles posiciones donde colocar piezas, tienen n posiciones. No solo existe un "tablero" sino que existen varios, de esta forma la estructura queda en forma de tablero de ajedrez tridimensional. Atendiendo a sus características físicas, las memorias RAM se dividen en dos grandes grupos:  estáticas SRAM ("Static RAM"), y dinámicas DRAM ("Dynamic RAM").  Ambas comparten la característica de perder su contenido cuando se apaga el sistema. Pero las DRAM tienen además la necesidad de que su contenido sea constantemente actualizado. Los chips de memoria son pequeños rectángulos negros que suelen ir soldados en grupos a unas plaquitas con "pines" o contactos. La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o los discos duros, es que la RAM es muchísimo más rápida, y que se borra al apagar el ordenador, no como éstos Memoria Volátil Se habla de RAM como memoria volátil, lo que significa que pueden perder su contenido cuando se desconecta la alimentación, necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, lo que la hace más rápida, pero también más cara. Memoria  Aleatoria La memoria de acceso aleatorio no volátil, referida a veces por sus siglas en inglés NVRAM (Non-volatile random access memory) es un tipo de memoria de acceso aleatorio que, como su nombre indica, no pierde la información almacenada al cortar la alimentación eléctrica. Se llaman memorias aleatorias a todas aquéllas que permiten su acceso a cualquiera de sus posiciones de almacenamiento, ya sea para leer o escribir datos. Almacenamiento En Una Memoria RAM Se denomina memoria a los circuitos que permiten almacenar y recuperar la información. En un sentido más amplio, puede referirse también a sistemas externos de almacenamiento, como las unidades de disco o de cinta. Memoria de acceso aleatorio o RAM es la memoria basada en semiconductores que puede ser leída y escrita por el microprocesador u otros dispositivos de hardware. El acceso a las posiciones de almacenamiento se puede realizar en cualquier orden. El interior de cada chip se puede imaginar como una matriz o tabla en la cual cada celda es capaz de almacenar un bit. Por tanto, un bit se puede localizar directamente proporcionando una fila y una columna de la tabla. En realidad, la CPU identifica cada celda mediante un número, denominado dirección de memoria. A partir de una dirección se calcula cuál es la fila y columna correspondiente, con lo que ya se puede acceder a la celda deseada. El acceso se realiza en dos pasos: primero se comunica la fila y después la columna empleando los mismos terminales de conexión. Obviamente, esta técnica –denominada multiplexado– permite emplear menos terminales de conexión para acceder a la RAM, lo que optimiza la relación entre el tamaño del chip y la capacidad de almacenamiento. Tipos De Memorias RAM 1. MEMORIAS ASINCRONAS DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad. FPM-RAM Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leido pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en modo paginado tambien es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término “fast” fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso más.  EDO RAM Se trata de una memoria más rapida, ya que incorpora un caché interno que agiliza la transferencia entre el micro y la RAM. BEDO RAM (Burst Extended Data Output). Es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado ‘pipeline’ que solapa las operaciones. Fue diseñada originalmente para soportar mayores velocidades de BUS. Al igual que la memoria SDRAM, esta memoria es capaz de transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj, pero no de forma continuada, como la anterior, sino a ráfagas (bursts), reduciendo, aunque no suprimiendo totalmente, los tiempos de espera del procesador para escribir o leer datos de memoria. Poco extendida, compite en prestaciones con la SDRAM. 2. MEMORIAS SINCRONAS SDR SDRAM  (Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM) Memoria síncrona (misma velocidad que el sistema), con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium 2 y en los Pentium III , así como en los AMD K6, K7 y Duron. Dependiendo de la frecuencia de trabajo se dividen en: PC66 - bus de memoria es de 66 MHz, PC100 - bus de memoria es de 100 MHz PC133 - bus de memoria es de 133 MHz Modulos de Memoria RAM DIMM proviene de ("Dual In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria de línea dual este nombre es debido a que sus contactos de cada lado son independientes, por lo tanto el contacto es doble en la tarjeta de memoria. SIMM proviene de ("Single In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria de únicamente una línea este nombre es debido a que sus contactos se comparten de ambos lados de la tarjeta de memoria. SIP es la sigla de ("Single In-line Package"), lo que traducido significa soporte simple en línea: son los primeros tipos de memorias DRAM RAM de celdas construidas a base de capacitores. DIP  Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado. RIMM es un módulo de memoria de uso general y de alto rendimiento conveniente para un amplio rango de aplicaciones incluyendo memorias de computadoras, computadoras personales, estaciones de trabajo y otras aplicaciones donde se requiere anchura de banda alta y baja latencia. Modulos RAM Para Portatiles SO-DIMM (Small Outline DIMM) consisten en una versión compacta de los módulos DIMM convencionales. Debido a su tamaño tan compacto, estos módulos de memoria suelen emplearse en computadores portátiles, PDAs y notebooks, aunque han comenzado a sustituir a los SIMM/DIMM en impresoras de gama alta y tamaño reducido y en equipos con placa base miniatura Mini-ITX). MICRODIMM Memoria RAM 1GB micro-DIMM para portátil (23-10-2004, salvadorp - ) La marca Swissbit lanza al mercado el primer módulo de memoria RAM para portátil con una capacidad de 1GB, algo casi impensable hasta hace poco, debido a las tecnologías existentes. Gracias a una revolucionaria técnica impulsada por Swissbit y desarrollada por sus ingenieros, en colaboración con Swissbit Germany AG, se hace realidad este proyecto, que en un futuro próximo proveerá de mayor cantidad de memoria los portátiles de muchos profesionales en diferentes sectores que requieran un gran consumo de RAM,

El SORIMM es un subsistema de memoria de uso general y de alto rendimiento, aplicable para un amplio rango de aplicaciónes incluyendo memoria de computadoras, computadoras móviles "delgadas y livianas", sistemas de redes y otras aplicaciones donde se requiera anchura de banda alta y baja latencia.

Hips y Módulos

ombre estándar	Velocidad del reloj	Velocidad del reloj de E/S	Nombre del módulo	Máxima capacidad de transferencia
DDR-200	100 MHz	100 MHz	PC1600	1600 MB/s
DDR-266	133 MHz	133 MHz	PC2100	2133 MB/s
DDR-333	166 MHz	166 MHz	PC2700	2667 MB/s
DDR-400	200 MHz	200 MHz	PC3200	3200 MB/s
DDR2-600	150 MHz	300 MHz	PC2-4800	4800 MB/s
DDR2-533	133 MHz	266 MHz	PC2-4300	4264 MB/s
DDR2-667	166 MHz	333 MHz	PC2-5300	5336 MB/s
DDR2-800	200 MHz	400 MHz	PC2-6400	6400 MB/s
DDR3-1066	133 MHz	533 MHz	PC3-8500	8530 MB/s
DDR3-1200	150 MHz	600 MHz	PC3-9600	9600 MB/s
DDR3-1333	166 MHz	667 MHz	PC3-10667	10664 MB/s
DDR3-1375	170 MHz	688 MHz	PC3-11000	11000 MB/s
DDR3-1466	183 MHz	733 MHz	PC3-11700	11700 MB/s
DDR3-1600	200 MHz	800 MHz	PC3-12800	12800 MB/s
DDR3-1866	233 MHz	933 MHz	PC3-14900	14930 MB/s
DDR3-2000	250 MHz	1000 MHz	PC3-16000	16000 MB/s

PC 1600 ó DDR200: funciona a 2.5 V, trabaja a 200MHz, es decir 100MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 1,6 GB/s (de ahí el nombre PC1600). Este tipo de memoria la utilizaron los Athlon XP de AMD, y los primeros Pentium 4.

PC 2100 ó DDR266: funciona a 2.5 V, trabaja a 266MHz, es decir 133MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 2,1 GB/s (de ahí el nombre PC2100).

PC 2700 ó DDR333: funciona a 2.5 V, trabaja a 333MHz, es decir 166MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 2,7 GB/s (de ahí el nombre PC2700).

 PC 3200 ó DDR400: funciona a 2.5V, trabaja a 400MHz, es decir, 200MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 3,2 GB/s (de ahí el nombre PC3200).

 PC-4200 ó DDR2-533: trabaja a 533Mhz, es decir, 266 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 4,2 GB/s (de ahí el nombre PC4200).

PC-4800 ó DDR2-600: trabaja a 600Mhz, es decir, 300 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 4,8 GB/s (de ahí el nombre PC4800).

PC-5300 ó DDR2-667: trabaja a 667Mhz, es decir, 333 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 5,3 GB/s (de ahí el nombre PC5300).

 PC-6400 ó DDR2-800: trabaja a 800Mhz, es decir, 400 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 6,4 GB/s (de ahí el nombre PC6400).

3. RDRAM

La RDRAM es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.

El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas de granularidad y número de pins. Este tipo de memoria se utilizó en el sistema de videojuegos Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida.

XDR DRAM

 (eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambus RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías DDR2 SDRAM y GDDR4. XDR fue diseñado para ser efectivo en sistemas pequeños y de alto desempeño que necesiten memorias de alto desempeño así como en GPUs de alto rendimiento.

Esta tecnología elimina la inusual alta latencia que plagaba a su predecesor RDRAM. XDR, también se centra en el ancho de banda soportado pos sus pines, lo que puede beneficiar considerablemente los costos de control en la producción de PCB, esto es debido a que se necesitarían menos caminos (lanes) para la misma cantidad de ancho de banda.

 XDR2 DRAM

Es un tipo de memoria de acceso aleatorio dinámico que se ofrece por Rambus. Se anunció el 7 de julio de 2005 [1] y la especificación de que fue lanzado el 26 de marzo de 2008. [cita requerida] Rambus ha diseñado XDR2 como una evolución de, y el sucesor, XDR DRAM. está diseñado para uso en los gráficos de gama alta de tarjetas y equipos de red.

4. DRDRAM

funciona más como un bus interno de un subsistema de memoria convencional. Se basa en lo que se llama el canal Direct Rambus, un bus de 16 bits de alta velocidad de circulación a una velocidad de reloj de 400 MHz. Al igual que con DDR SDRAM, las transferencias se realizan en los bordes de subida y bajada del reloj, dando un ancho de banda efectivo teórico de aproximadamente 1,6 Gbytes por segundo. Este es un enfoque totalmente diferente a la memoria de forma es en la actualidad acceso a través de un bus de memoria de ancho de 64 bits. Puede parecer contraproducente para estrechar el canal ya que reduce el ancho de banda, sin embargo, el canal es entonces capaz de funcionar a velocidades mucho más altas que sería posible si el autobús fueron amplios. Al igual que con SDRAM, DRDRAM hace uso de una serie de detectar la presencia (SPD) de chips para contar las características de la placa base cierta del módulo DRDRAM cuando se arranca el sistema. DRDRAM es propiedad y está diseñado para utilizar un tipo especial de módulo llamado Rambus Inline Memory Module, o RIMM.

5.SLDRAM

Memoria de acceso al azar dinámica del acoplamiento síncrono (SLDRAM), o Memoria de acceso al azar dinámica de Synclink, es de alta velocidad memoria de acceso al azar similar a DRDRAM, no obstante sin el diseño propietario. Fue desarrollado por el consorcio de SLDRAM, que consiste en cerca de 20 fabricantes importantes de la industria del ordenador. Es abra el estándar y no requiere los honorarios que licencian que son requeridos por la tecnología de DRDRAM.

Esta tecnología entrega funcionamiento grandemente mejorado sobre SDRAM tecnología sin el uso totalmente de una nueva arquitectura al igual que el DRDRAM. La llamada de las especificaciones para a 64-bit autobús funcionamiento en un reloj de 200 megaciclos frecuencia. Esto es alcanzada por todas las señales que están en la misma línea y de tal modo que evitan la época de sincronización de líneas múltiples. Como DDR SDRAM, SLDRAM puede funcionar en dos veces la tarifa de reloj del sistema que le da una velocidad eficaz de 400 megaciclos.

6.SRAM

Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Estática de Acceso Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos (mientras esté alimentada) sin necesidad de circuito de refresco (no se descargan). Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.

• Async SRAM: La memoria caché de los antiguos 386, 486 y primeros Pentium, asíncrona y con velocidades entre 20 y 12 ns.
• Sync SRAM: Es la generación siguiente, capaz de sincronizarse con el procesador y con una velocidad entre 12 y 8,5 ns.
• Pipelined SRAM: Se sincroniza también con el procesador, pero tarda en cargar los datos más que la anterior, aunque una vez cargados accede a ellos con más rapidez. Opera a velocidades entre 8 y 4,5 ns. 

7.EDRAM

EDRAM significa "DRAM integrado", basado en un condensador de memoria de acceso aleatorio dinámico integrado en el mismo chip como un ASIC o el procesador. El coste por bit es mayor que el de los chips DRAM independientes, pero en muchas aplicaciones, las ventajas de rendimiento de la colocación de la eDRAM en el mismo chip que el procesador supera la desventaja de costes en comparación con una memoria externa.

EDRAM se utiliza en POWER7 IBM procesador [1] y en el juego de las consolas y otros dispositivos, incluyendo Sony PlayStation 2, PlayStation Portable de Sony, Nintendo GameCube de Nintendo, la Wii de Nintendo, el iPhone de Apple Inc. 's, Microsoft Zune de alta definición, y Xbox 360 de Microsoft.

8. ESDRAM (Enhanced SDRAM)

Incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos accesos pueden ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores.

9.VRAM

Memoria gráfica de acceso aleatorio (Video Random Access Memory) es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU del sistema. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-Ported.

En un principio (procesadores de 8 bits) se llamaba así a la memoria sólo accesible directamente por el procesador gráfico, debiendo la CPU cargar los datos a través de él. Podía darse el caso de equipos con más memoria VRAM que RAM (como algunos modelos japoneses de MSX2, que contaban con 64 KiB de RAM y 128 KiB de VRAM).

10.SGRAM

es un tipo especializado de SDRAM para adaptadores gráficos. Agrega mejoras como bit masking (escribir en un bit específico sin afectar a otros) y block write (rellenar un bloque de memoria con un único color). A diferencia de la VRAM y la WRAM, SGRAM es de un solo puerto. De todas maneras, puede abrir dos páginas de memoria como una, simulando el doble puerto que utilizan otras tecnologías RAM.

11.WRAM Es una variante de VRAM que se ha utilizado una vez en adaptadores de gráficos, tales como los Objetivos de Matrox y 3D ATI Rage Pro . WRAM fue diseñado para funcionar mejor y cuestan menos de VRAM. WRAM ofrece hasta 25% más de ancho de banda de memoria VRAM y acelerado de uso común las operaciones de gráficos, tales como el dibujo y el bloque de texto llena